TOP > 半導体年表 > 1966年の半導体産業・技術分野の重要な動向
1966年の半導体産業・技術分野の主要な動向として、以下の点が重要です。
1. 集積回路(IC)の進展
1960年代は半導体業界における集積回路(IC)の発展期であり、1966年もその重要な時期の一つでした。トランジスタからICへの移行が進み、モノリシックIC(単一のシリコンチップ上に複数の電子素子を形成する技術)が広まり始めました。
●フェアチャイルド・セミコンダクターがリーダー企業として活躍し、IC製造技術の革新を進めた。
●テキサス・インスツルメンツ(TI)やモトローラなどもIC技術の開発を強化し、軍事用途や民生電子機器への応用が加速。
●1965年にゴードン・ムーアが発表した「ムーアの法則」の影響を受け、ICの集積度向上が急速に進む。
2. MOSトランジスタ技術の発展
1960年代半ばには、従来のバイポーラトランジスタ(BJT)に代わり、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)の研究が進展。1966年はこの技術が実用化に向けた重要な時期であり、MOS ICの開発が活発になりました。
●MOSFETは消費電力が低く、集積度を高めやすいため、今後のIC技術の主流となる可能性が注目された。
●フェアチャイルドやRCAがMOS技術の開発に積極的に取り組み、民生用電子機器への応用を模索。
3. 半導体製造技術の進化(フォトリソグラフィ技術の向上)
1966年には、IC製造におけるフォトリソグラフィ技術の進展が見られました。
●より微細なパターンを形成するための光学技術が発展し、ICの集積度向上に貢献。
●平面プロセス(Planar Process)の技術が成熟し、安定した半導体製造が可能に。
4. メモリ技術の進化(DRAMの原型の登場)
●1966年、IBMのロバート・デナードがDRAM(Dynamic Random Access Memory)の基本原理を考案。
●これは後の半導体メモリ技術の発展に大きく貢献し、コンピューターの発展にも影響を与えた。
5. 日本の半導体産業の成長
●1960年代、日本の電機メーカー(NEC、東芝、日立など)はIC技術の研究を本格化。
●1966年頃から、米国企業の技術をライセンス供与を受けながら、日本独自の半導体技術開発が進み、後のメモリ市場での躍進の基盤を築いた。
まとめ
1966年は、集積回路(IC)の発展、MOSFET技術の進化、フォトリソグラフィの向上、メモリ技術の進展など、半導体産業が急成長する重要な時期でした。この時期の技術革新が、後の半導体市場の拡大やコンピューターの発展に大きな影響を与えました。
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