TOP > 半導体年表 > 1959年の半導体産業・技術分野の重要な動向
1959年の半導体産業・技術分野における重要な動向は以下のとおりです。
技術の概要:
●MOSFETは、シリコン基板上に酸化膜（SiO₂）を形成し、その上に金属ゲートを配置する構造を持つ。
●従来のバイポーラトランジスタに比べ、MOSFETは消費電力が低く、大規模集積回路（LSI）に適していた。
●後にCMOS（Complementary MOS）技術の発展につながり、コンピュータやスマートフォン、あらゆる電子機器の主要な構成要素となる。
理由:
●シリコンの酸化膜（SiO₂）がMOSFETの開発に適していた。
●ゲルマニウムよりも高温で安定して動作する特性があった。
●シリコンを大量生産する技術が進展し、コスト面でも有利になった。
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